中频磁控溅射镀膜技术是磁控技术另一新里程碑，作为目前国内外*新的中频孪生靶磁控溅射反应技术，在近几年得到了迅猛的发展，除了在制备金属膜时具有较高的稳定性外，在沉积氮化物、氧化物等介质膜时，解决了过去直流磁控溅射中弧光放电和阳极消失等问题，并具溅射速率快等优点，它能够在长时间内获得较高的沉积速率和维持稳定的镀膜状态。一种中频反应磁控溅射设备二氧化硅膜设备，包括真空镀膜室、双靶、反应气体供气管道、工作气体供气管道、中频电源、压电阀控制器和压电阀，双靶装在屏蔽罩内，真空镀膜室内的反应气体供气管道位于双靶的对称中心线上，中频电源的两个输出端各接到一个靶上，中频电源的控制线压电阀控制器，压电阀和反应气体供气管道构成闭环控制回路。本实用新型提供了一种能使靶面处于过渡状态，既能保证膜层的成分，又具有足够高的沉积速率，实现闭环控制的中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备。适合镀制铟锡合金（ITO）、氧化铝（AL203）、二氧化硅（SiO2）、氧化钛（TiO2）、氧化硅（Si3N4）等，配置多个靶及膜厚仪可镀制多层膜。